الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Influence of composition on electrical and optical properties of new chalcogenide thin films from GeSeTl system
Influence of composition on electrical and optical properties of new chalcogenide thin films from GeSeTl system
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
Bulk Ge 20Se 80-xTl x (x ranging from 0 to 15 at%) chalcogenide glasses were prepared by conventional melt quenching technique. Thin films of these compositions were prepared by thermal evaporation, on glass and Si wafer substrates at a base pressure of 10 -6 Torr. X-ray diffraction studies were performed to investigate the structure of the thin films. The absence of any sharp peaks in the X-ray diffractogram confirms that the films are amorphous in nature. The optical constants (absorption coefficient, optical band gap, extinction coefficient and refractive index) of Ge 20Se 80-xTl x thin films are determined by absorption and reflectance measurements in a wavelength range of 400900 nm. In order to determine the optical gap, the absorption spectra of films with different Tl contents were analyzed. The absorption data revealed the existence of allowed indirect transitions. The optical band gap showed a sharp decrease from 2.06 to 1.79 eV as the Tl content increased from 0% to 15%. It has been found that the values of absorption coefficient and refractive index increase while the extinction coefficient decreases with increase in Tl content in the GeSe system. These results are interpreted in terms of the change in concentration of localized states due to the shift in Fermi level. DC electrical conductivity of Ge 20Se 80-xTl x thin films was carried out in a temperature range 293393 K. The electrical activation energy of these films was determined by investigating the temperature dependence of dc conductivity. A decrease in the electrical activation energy from 0.91 to 0.55 eV was observed as the Tl content was increased up to 15 at% in Ge 20Se 80-xTl x system. On the basis of pre-exponential factor, it is suggested that the conduction is due to thermally assisted tunneling of the carriers in the localized states near the band edges.
ردمد
:
0030-3992
اسم الدورية
:
Optics and Laser Technology
المجلد
:
43
العدد
:
4
سنة النشر
:
1432 هـ
2011 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, June 6, 2012
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
فيصل عبدالعزيز العقل
Al-Agel, Faisal A
باحث
دكتوراه
fagel@kau.edu.sa
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
33524.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث