الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Effects of annealing temperatures on optical and electrical properties of vacuum evaporated Ga15Se77In8 chalcogenide thin films
Effects of annealing temperatures on optical and electrical properties of vacuum evaporated Ga15Se77In8 chalcogenide thin films
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
The optical constants (absorption coefficient, optical band gap, refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of dielectric constants) of amorphous and thermally annealed thin films of Ga 15Se77In8 chalcogenide glasses with thickness 4000 have been investigated from absorption and reflection spectra as a function of photon energy in the wave length region 400-800 nm. Thin films of Ga 15Se77In8 chalcogenide glasses were thermally annealed for 2 h at three different annealing temperatures 333 K, 348 K and 363 K, which are in between the glass transition and crystallization temperature of Ga15Se77In8 glasses. Analysis of the optical absorption data shows that the rule of non-direct transitions predominates. It was found that the optical band gap decreases with increasing annealing temperature. It has been observed that the value of absorption coefficient and extinction coefficient increases while the values of refractive index decrease with increasing annealing temperature. The decrease in optical band gap is explained on the basis of the change in nature of films, from amorphous to crystalline state. The dc conductivity of amorphous and thermally annealed thin films of Ga15Se77In8 chalcogenide glasses is also reported for the temperature range 298-393 K. It has been observed that the conduction is due to thermally assisted tunneling of the carriers in the localized states near the band edges. The dc conductivity was observed to increase with the corresponding decrease in activation energy on increasing annealing temperature in the present system. These results were analyzed in terms of the Davis-Mott model.
ردمد
:
0042-207X
اسم الدورية
:
Vacuum
المجلد
:
85
العدد
:
9
سنة النشر
:
1432 هـ
2011 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Tuesday, June 12, 2012
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
فيصل عبدالعزيز العقل
Al-Agel, Faisal A
باحث
دكتوراه
fagel@kau.edu.sa
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
33587.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث