تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Spectroscopic ellipsometry and electrical characterizations of InGaAs:Mg thin films lattice matched to InP
Spectroscopic ellipsometry and electrical characterizations of InGaAs:Mg thin films lattice matched to InP
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : Mg-doped InGaAs films were grown at 560 degrees C lattice matched to InP semi-insulating substrate by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) under various Cp2Mg flow conditions. Hall effect, photoluminescence (PL), high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD) and spectroscopic ellipsometry (SE) are the tools used in this work. The crystalline quality and the n-p conversion of the InGaAs:Mg films are described and discussed in relation to the Cp2Mg flow. Distinguishing triple emissions peaks in PL spectra are observed and seem to be strongly dependent on the Cp2Mg flow. SE was used to investigate the interband transitions in InGaAs:Mg/InP heterointerfaces and the different critical point energies were identified 
ردمد : 2190-5444 
اسم الدورية : EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS 
المجلد : 131 
العدد : 6 
سنة النشر : 1437 هـ
2016 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, August 10, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
I ZeydiZeydi, I باحث رئيسيدكتوراه 
M EzzediniEzzedini, M باحث مشاركدكتوراه 
A SayariSayari, A باحث مشاركدكتوراهamor.sayari@laposte.net
E. ShalaanShalaan, E. باحث مشاركدكتوراه 
S WagehWageh, S باحث مشاركدكتوراه 
L SfaxiSfaxi, L باحث مشاركدكتوراه 
A.A Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, A.A باحث مشاركدكتوراه 
R (M'Gaieth(M'Gaieth, R باحث  

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42569.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث